如皋成立中乌宽禁带半导体材料研究院 助力国产半导体高速发展

军事新闻 浏览(1231)

原标题:如皋成立中乌宽带隙半导体材料研究所,助力国内半导体快速发展

昨日,第二届中国如皋第三代半导体与智能制造国际研讨会如期举行,乌克兰国家科学院、如皋高新区、江苏卓远半导体发起的中乌第三代半导体工业技术研究所宣告成立。

研究院将对第三代半导体晶体制造智能设备、大功率晶圆、功率芯片和器件、光电材料、激光晶体材料等功能晶体材料和设备等关键技术进行研究,帮助企业抢占第三代半导体产业发展的制高点。

本次研讨会由如皋市人民政府和中乌科技论坛理事会主办。由江苏省如皋高新技术产业开发区管委会和江苏卓远半导体有限公司主办,海迪科(南通)光电科技有限公司和苏州迅雷激光科技有限公司协办,吸引了俄罗斯、乌克兰、白俄罗斯、德国等国家的国际知名学者。同时,聚集了上海复旦大学、哈尔滨工业大学、Xi交通大学、台湾理工大学等着名大学和研究所的行业领导以及数百家半导体行业企业。

当前,新一轮科技革命和产业转型正在重塑全球创新格局。全球科技创业浪潮已经从互联网和移动互联网进入“硬科技”阶段。第三代半导体和激光器件等大量新兴技术突破了原有的产业边界,渗透并整合到跨境各种产业中,催生了大量新技术、新格式和新增长点,推动制造业呈现数字化、智能化的发展趋势。

近年来,如皋先后落户快速镭激光设备制造工业园、郑伟5G新材料工业园等大型项目,总投资300亿元,聚集了一批优质企业。

如皋高新区是江苏省政府批准的省级高新技术产业开发区,总行政规划面积77平方公里。

什么是第三代半导体?

第三代半导体一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。迄今为止,半导体工业的发展经历了三个阶段。第一代半导体材料以硅为代表。第二代半导体材料砷化镓也被广泛使用。然而,以氮化镓和宽禁带(如碳化硅、氧化锌、氧化铝和金刚石)为代表的第三代半导体材料比前两代具有显着的性能优势。

因为第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点。在短波发光、激光、检测等光电器件以及高温、高压、高频和大功率电子功率器件领域具有广阔的应用前景。

凭借其性能优势和广泛的应用场景,第三代半导体也被称为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核心”,以及光电和微电子产业的“新引擎”。

目前,世界上所有国家都在加紧努力规划第三代半导体领域。2017年,美国、德国、联合王国、欧洲联盟和其他国家和组织启动了至少12个研发计划和项目。“政府-产业-研究”多党联合研发是重要的组织方式之一。

与发达国家相比,中国第三代半导体产业的发展起步相对较慢,但随着政策引导的逐步作用,中国第三代半导体产业正在经历快速发展。值得一提的是,中国第三代半导体产业在2017年取得了长足发展。据CASA初步统计,2017年中国第三代半导体(含照明)的总产值约为6578亿英镑,比2016年增长25.83%。

虽然有很多第三代半导体材料,但根据目前对第三代半导体材料和器件的研究,氮化镓(氮化镓)和碳化硅(碳化硅)半导体材料是最成熟和最有前途的材料。

(责任编辑:DF515)

-